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FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
Referencia del fabricanteBYV10D-600PJ
Código Farnell3703821RL
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
100+ | 0,351 € |
500+ | 0,253 € |
1000+ | 0,216 € |
5000+ | 0,145 € |
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Información del producto
FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
Referencia del fabricanteBYV10D-600PJ
Código Farnell3703821RL
Hoja de datos técnicos
Tensión inversa repetitiva máx.600V
Corriente Directa Promedio10A
Configuración de DiodoÚnico
Tensión Directa Máxima1.3V
Tiempo de Recuperación Inversa100ns
Sobrecorriente Directa132A
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Encapsulado del DiodoTO-252 (DPAK)
Número de pines3 Pines
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)0
Especificaciones técnicas
Tensión inversa repetitiva máx.
600V
Configuración de Diodo
Único
Tiempo de Recuperación Inversa
100ns
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Número de pines
3 Pines
Calificación
-
Corriente Directa Promedio
10A
Tensión Directa Máxima
1.3V
Sobrecorriente Directa
132A
Encapsulado del Diodo
TO-252 (DPAK)
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
0
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:0
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.004082