Imprimir página
VSLY3850
Emisor de Infrarrojos, Alta Velocidad, 850 nm, 18 °, T-1 (3mm), 10 mW/Sr, 10 ns, 10 ns
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
1015 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,370 € |
| 10+ | 0,693 € |
| 25+ | 0,655 € |
| 50+ | 0,617 € |
| 100+ | 0,579 € |
| 500+ | 0,528 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
1,37 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteVSLY3850
Código Farnell1870806
Hoja de datos técnicos
Pico de Longitud de Onda850nm
Ángulo de Media Intensidad18°
Encapsulado del DiodoT-1 (3mm)
Intensidad Radiante10mW/Sr
Tiempo de Subida10ns
Tiempo de Caída (tf)10ns
Corriente Directa If(AV)100mA
Tensión Directa VF Máx.1.9V
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.85°C
Estándar de Certificación para Automoción-
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Resumen del producto
The VSLY3850 is a 850nm high speed Infrared Emitting Diode based on GaAlAs surface emitter chip technology with extreme high radiant intensity, high optical power and moulded in a clear. It is suitable for high pulse current operation. It is suitable for use in infrared radiation source for operation with CMOS cameras, high speed IR data transmission, 3D TV application and light curtains.
- High speed
- High radiant power
- High radiant intensity
- ±18° Angle of half intensity
- Good spectral matching with CMOS cameras
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Pico de Longitud de Onda
850nm
Encapsulado del Diodo
T-1 (3mm)
Tiempo de Subida
10ns
Corriente Directa If(AV)
100mA
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Estándar de Certificación para Automoción
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Ángulo de Media Intensidad
18°
Intensidad Radiante
10mW/Sr
Tiempo de Caída (tf)
10ns
Tensión Directa VF Máx.
1.9V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
85°C
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Productos asociados
Se ha encontrado 1 producto
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002268
Trazabilidad del producto