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VS-FC420SA15
Transistor MOSFET, Canal N, 400 A, 150 V, 0.00193 ohm, 10 V, 3.46 V, SOT-227
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 47,020 € |
| 5+ | 41,140 € |
| 10+ | 34,090 € |
| 50+ | 30,560 € |
| 100+ | 28,210 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteVS-FC420SA15
Código Farnell3513308
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCanal N
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id400A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)150V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.00193ohm
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.00193ohm
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3.46V
Disipación de Potencia909W
Disipación de Potencia Pd909W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
400A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.00193ohm
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
909W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
150V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.00193ohm
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3.46V
Disipación de Potencia Pd
909W
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.04
Trazabilidad del producto