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FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteVS-FC420SA10
Código Farnell3513307
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 23,760 € |
5+ | 22,220 € |
10+ | 20,680 € |
50+ | 19,130 € |
100+ | 17,590 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteVS-FC420SA10
Código Farnell3513307
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCanal N
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id435A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.00215ohm
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.0013ohm
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3.8V
Disipación de Potencia Pd652W
Disipación de Potencia652W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoTrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
VS-FC420SA10 is a power module single switch power MOSFET.
- ID <gt/> 420A, TC = 25°C, TrenchFET® power MOSFET
- Low input capacitance (Ciss), reduced switching and conduction losses
- Ultra low gate charge (Qg), avalanche energy rated (UIS)
- UL approved file E78996
- Drain to source voltage is 100V max (TC = 25°C)
- Static drain to source on-resistance is 1.3mohm typ (VGS = 10V, ID = 200A, TJ = 25°C)
- Continuous drain current, VGS at 10V is 435A max (TC = 25°C)
- Insulation voltage (RMS) is 2500V max (any terminal to case, t = 1 min, TC = 25°C)
- Rise time is 275ns typ (VDD = 50V, TJ = 25°C), fall time is 172ns typ (VDD = 50V, TJ = 25°C)
- SOT-227 package, operating junction temperature range from -55 to +175°C
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
435A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.00215ohm
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
652W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.0013ohm
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3.8V
Disipación de Potencia
652W
Gama de Producto
TrenchFET Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.04
Trazabilidad del producto