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VS-1N1186A
Módulo de Diodos, 200 V, 40 A, 1.3 V, Simple, DO-5, 2 Pines
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 9,690 € |
| 5+ | 8,750 € |
| 10+ | 7,800 € |
| 50+ | 7,630 € |
| 100+ | 7,460 € |
| 250+ | 7,290 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteVS-1N1186A
Código Farnell2547250
Hoja de datos técnicos
Tensión inversa repetitiva máx.200V
Corriente Directa Promedio40A
Tensión Directa Máxima1.3V
Configuración del Módulo de DiodosSimple
Encapsulado del DiodoDO-5
Número de pines2Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.200°C
Sobrecorriente Directa800A
Montaje de DiodoPerno
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (08-Jul-2021)
Resumen del producto
The VS-1N1186A is a Power Silicon Rectifier Diode offers good surge current capability up to 1000A. It also offers 200V maximum repetitive peak reverse voltage and direct reverse voltage.
- Low leakage current
- -65 to 200°C Junction operating temperature range
Especificaciones técnicas
Tensión inversa repetitiva máx.
200V
Tensión Directa Máxima
1.3V
Encapsulado del Diodo
DO-5
Temperatura de Funcionamiento Máx.
200°C
Montaje de Diodo
Perno
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (08-Jul-2021)
Corriente Directa Promedio
40A
Configuración del Módulo de Diodos
Simple
Número de pines
2Pins
Sobrecorriente Directa
800A
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (08-Jul-2021)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.021092