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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,930 € |
| 10+ | 1,810 € |
| 100+ | 1,700 € |
| 500+ | 1,580 € |
| 1000+ | 1,460 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteV40100CI-M3/P
Código Farnell3014205
Rango de ProductoTMBS
Hoja de datos técnicos
Tensión inversa repetitiva máx.100V
Corriente Directa Promedio40A
Configuración de DiodoCátodo Común Doble
Encapsulado del DiodoTO-220AB
Número de pines3Pins
Tensión Directa Máxima700mV
Sobrecorriente Directa250A
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Montaje de DiodoAgujero Pasante
Gama de ProductoTMBS
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
V40100CI-M3/P is a dual high voltage trench MOS barrier schottky rectifier. Typical application includes for use in high frequency converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC converters, and reverse battery protection.
- Low forward voltage drop, low power losses
- High efficiency operation
- Solder bath temperature 275°C maximum, 10s, per JESD 22-B106
- Maximum repetitive peak reverse voltage is 100V (TA = 25°C)
- Maximum average forward rectified current is 20A (per diode, TA = 25°C)
- Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load per diode is 250A
- Instantaneous forward voltage per diode is 0.59V (typ, IF = 20A, TA = 125°C)
- Junction capacitance is 2450pF (typ, 4V, 1MHz, TA = 25°C)
- Common cathode circuit configuration
- TO-220AB package, operating junction temperature range from -40 to +150°C
Especificaciones técnicas
Tensión inversa repetitiva máx.
100V
Configuración de Diodo
Cátodo Común Doble
Número de pines
3Pins
Sobrecorriente Directa
250A
Montaje de Diodo
Agujero Pasante
Calificación
-
Corriente Directa Promedio
40A
Encapsulado del Diodo
TO-220AB
Tensión Directa Máxima
700mV
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Gama de Producto
TMBS
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001
Trazabilidad del producto