Imprimir página
TSHF5410
Emisor de Infrarrojos, Alta Velocidad, 890 nm, 22 °, T-1 3/4 (5mm), 30 mW/Sr, 30 ns, 30 ns
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
243 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 0,629 € |
| 10+ | 0,434 € |
| 25+ | 0,394 € |
| 50+ | 0,355 € |
| 100+ | 0,315 € |
| 500+ | 0,262 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
0,63 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteTSHF5410
Código Farnell1652534
Hoja de datos técnicos
Pico de Longitud de Onda890nm
Ángulo de Media Intensidad22°
Encapsulado del DiodoT-1 3/4 (5mm)
Intensidad Radiante30mW/Sr
Tiempo de Subida30ns
Tiempo de Caída (tf)30ns
Corriente Directa If(AV)100mA
Tensión Directa VF Máx.1.4V
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.85°C
Estándar de Certificación para Automoción-
Gama de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Resumen del producto
The TSHF5410 is a 890nm Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero (DH) technology. It is moulded in a clear, untinted plastic package. It is suitable for use in infrared high speed remote control and free air data transmission systems with high modulation frequencies or high data transmission rate requirements, transmission systems according to IrDA requirements and for carrier frequency based systems (e.g. ASK/FSK -coded, 450KHz or 1.3MHz).
- High speed
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- ϕ = ±22° Angle of half intensity
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
- 12MHz High modulation bandwidth (fc)
Especificaciones técnicas
Pico de Longitud de Onda
890nm
Encapsulado del Diodo
T-1 3/4 (5mm)
Tiempo de Subida
30ns
Corriente Directa If(AV)
100mA
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Estándar de Certificación para Automoción
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Ángulo de Media Intensidad
22°
Intensidad Radiante
30mW/Sr
Tiempo de Caída (tf)
30ns
Tensión Directa VF Máx.
1.4V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
85°C
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (2)
Productos asociados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000326
Trazabilidad del producto