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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,350 € |
| 10+ | 0,961 € |
| 25+ | 0,947 € |
| 50+ | 0,932 € |
| 100+ | 0,699 € |
| 500+ | 0,598 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteTSFF5210-CS12
Código Farnell2251305
Hoja de datos técnicos
Pico de Longitud de Onda870nm
Ángulo de Media Intensidad10°
Encapsulado del DiodoT-1 3/4 (5mm)
Intensidad Radiante180mW/Sr
Tiempo de Subida15ns
Tiempo de Caída (tf)15ns
Corriente Directa If(AV)100mA
Tensión Directa VF Máx.-
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.85°C
Estándar de Certificación para Automoción-
Gama de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Resumen del producto
870nm, GaAlAs double hetero high speed infrared emitting diode. It is suitable for use in Infrared video data transmission between camcorder and TV set, free air data transmission systems with high modulation frequencies or high data transmission rate requirements and smoke-automatic fire detectors.
- Package form: T-1 3/4
- Leads with stand-off
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Angle of half intensity: = ± 10°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- High modulation bandwidth: fc = 24MHz
- Good spectral matching with Si photodetectors
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Pico de Longitud de Onda
870nm
Encapsulado del Diodo
T-1 3/4 (5mm)
Tiempo de Subida
15ns
Corriente Directa If(AV)
100mA
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Estándar de Certificación para Automoción
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Ángulo de Media Intensidad
10°
Intensidad Radiante
180mW/Sr
Tiempo de Caída (tf)
15ns
Tensión Directa VF Máx.
-
Temperatura de Funcionamiento Máx.
85°C
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00035