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SQJQ900E-T1_GE3
MOSFET Doble, Canal N, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 0.0034 ohm
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FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSQJQ900E-T1_GE3
Código Farnell3772876
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
1801 Productos en Stock
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,080 € |
| 10+ | 1,680 € |
| 100+ | 1,390 € |
| 500+ | 1,160 € |
| 1000+ | 0,995 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSQJQ900E-T1_GE3
Código Farnell3772876
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N40V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N100A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P100A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.0034ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P0.0034ohm
Encapsulado del TransistorPowerPAK SO
Número de pines4Pins
Disipación de Potencia Canal N75W
Disipación de Potencia Canal P75W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
100A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
0.0034ohm
Número de pines
4Pins
Disipación de Potencia Canal P
75W
Gama de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
100A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.0034ohm
Encapsulado del Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia Canal N
75W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto