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SIZ998DT-T1-GE3
MOSFET Doble, Canal N + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0022 ohm
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FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSIZ998DT-T1-GE3
Código Farnell2802799RL
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,860 € |
| 500+ | 0,628 € |
| 1000+ | 0,571 € |
| 5000+ | 0,511 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSIZ998DT-T1-GE3
Código Farnell2802799RL
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N + Schottky
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N30V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N60A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P60A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.0022ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P0.0022ohm
Encapsulado del TransistorPowerPAIR
Número de Pines8Pins
Disipación de Potencia Canal N32.9W
Disipación de Potencia Canal P32.9W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N + Schottky
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
60A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
0.0022ohm
Número de Pines
8Pins
Disipación de Potencia Canal P
32.9W
Gama de Producto
TrenchFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
60A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.0022ohm
Encapsulado del Transistor
PowerPAIR
Disipación de Potencia Canal N
32.9W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para SIZ998DT-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Hong Kong
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Hong Kong
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.006
Trazabilidad del producto