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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
5+ | 0,552 € |
10+ | 0,414 € |
100+ | 0,309 € |
500+ | 0,224 € |
1000+ | 0,173 € |
5000+ | 0,157 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSIA931DJ-T1-GE3
Código Farnell2400374
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N30V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4.5A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.052ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P0.052ohm
Encapsulado del TransistorPowerPAK SC-70
Número de Pines6Pins
Disipación de Potencia Canal N7.8W
Disipación de Potencia Canal P7.8W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Resumen del producto
The SIA931DJ-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for battery and load switch, DC-to-DC converter applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® gen III power MOSFET
- Thermally enhanced PowerPAK® package
- Small footprint
- Low ON-resistance
- 100% Rg tested
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4.5A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
0.052ohm
Número de Pines
6Pins
Disipación de Potencia Canal P
7.8W
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4.5A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.052ohm
Encapsulado del Transistor
PowerPAK SC-70
Disipación de Potencia Canal N
7.8W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002