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SI4564DY-T1-GE3
MOSFET Doble, Canal complementario N y P, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm
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FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI4564DY-T1-GE3
Código Farnell2056723RL
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
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| 500+ | 0,627 € |
| 1000+ | 0,566 € |
| 5000+ | 0,483 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI4564DY-T1-GE3
Código Farnell2056723RL
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N40V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N10A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P10A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.0145ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P0.0145ohm
Encapsulado del TransistorSOIC
Número de Pines8Pins
Disipación de Potencia Canal N3.1W
Disipación de Potencia Canal P3.1W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Resumen del producto
El SI4564DY-T1-GE3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de doble canal N y P de 40V.
- Sin halógenos en conformidad con el estándar IEC 61249-2-21
- 100% probado Rg
- 100% probado UIS
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
10A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
0.0145ohm
Número de Pines
8Pins
Disipación de Potencia Canal P
3.1W
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
10A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.0145ohm
Encapsulado del Transistor
SOIC
Disipación de Potencia Canal N
3.1W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000253
Trazabilidad del producto