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SI4288DY-T1-GE3
MOSFET Doble, Canal N, 40 V, 40 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.0165 ohm
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|---|---|
| 5+ | 1,890 € |
| 50+ | 1,200 € |
| 100+ | 0,810 € |
| 500+ | 0,642 € |
| 1000+ | 0,597 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI4288DY-T1-GE3
Código Farnell2056718
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N40V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N9.2A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P9.2A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.0165ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P0.0165ohm
Encapsulado del TransistorSOIC
Número de pines8Pins
Disipación de Potencia Canal N3.1W
Disipación de Potencia Canal P3.1W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The SI4288DY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for CCFL inverter, DC-to-DC converter and HDD applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
9.2A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
0.0165ohm
Número de pines
8Pins
Disipación de Potencia Canal P
3.1W
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
9.2A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.0165ohm
Encapsulado del Transistor
SOIC
Disipación de Potencia Canal N
3.1W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000726
Trazabilidad del producto