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FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI1922EDH-T1-GE3
Código Farnell2056714
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
5+ | 0,562 € |
10+ | 0,361 € |
100+ | 0,243 € |
500+ | 0,189 € |
1000+ | 0,163 € |
5000+ | 0,126 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI1922EDH-T1-GE3
Código Farnell2056714
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N20V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N1.3A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P1.3A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.165ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P0.165ohm
Encapsulado del TransistorSOT-363
Número de Pines6Pins
Disipación de Potencia Canal N1.25W
Disipación de Potencia Canal P1.25W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Resumen del producto
The SI1922EDH-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET intended for small to medium load applications where a miniaturized package is required. It is compatible with load switch for portable applications.
- Halogen-free
- ESD protected device
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
1.3A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
0.165ohm
Número de Pines
6Pins
Disipación de Potencia Canal P
1.25W
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
1.3A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.165ohm
Encapsulado del Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia Canal N
1.25W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para SI1922EDH-T1-GE3
Se ha encontrado 1 producto
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000073
Trazabilidad del producto