Imprimir página
IRF840APBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
981 Productos en Stock
1000 Ahora puede reservar el stock
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,000 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,120 € |
| 10+ | 1,870 € |
| 100+ | 1,240 € |
| 500+ | 1,210 € |
| 1000+ | 1,160 € |
| 5000+ | 1,140 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
2,12 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteIRF840APBF
Código Farnell8648557
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)500V
Corriente de Drenaje Continua Id8A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.85ohm
Encapsulado del TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia125W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRF840APBF es un MOSFET de potencia de canal N con baja carga de puerta y robustez mejorada de puerta, avalancha y capacidad dv/dt dinámica.
- Corriente y tensión de avalancha y capacitancia totalmente caracterizadas
- Valor Coss efectivo especificado
- Tensión puerta-fuente de ±30V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
8A
Encapsulado del Transistor
TO-220AB
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
125W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
500V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.85ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para IRF840APBF
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Mexico
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Mexico
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002
Trazabilidad del producto