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BPW85
Fototransistor, 850 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pines, T-1 (3mm)
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| 10+ | 0,452 € |
| 25+ | 0,398 € |
| 50+ | 0,343 € |
| 100+ | 0,289 € |
| 500+ | 0,283 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteBPW85
Código Farnell1045380
Hoja de datos técnicos
Longitud de Onda Típica850nm
Ángulo de Visión50°
Consumo de Energía100mW
Número de Pines2Pins
Encapsulado del TransistorT-1 (3mm)
Gama de Producto-
Estándar de Certificación para Automoción-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Resumen del producto
The BPW85 is a clear Silicon NPN Phototransistor with high radiant sensitivity. It is sensitive to visible and near infrared radiation and it has high photo and radiant sensitivity.
- Fast response times
- ±25° Angle of half sensitivity
Especificaciones técnicas
Longitud de Onda Típica
850nm
Consumo de Energía
100mW
Encapsulado del Transistor
T-1 (3mm)
Estándar de Certificación para Automoción
-
Ángulo de Visión
50°
Número de Pines
2Pins
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000136
Trazabilidad del producto