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BPW77NB
Fototransistor, 850 nm, 10 °, 250 mW, 3 Pines, TO-18
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,810 € |
| 10+ | 2,230 € |
| 25+ | 2,100 € |
| 50+ | 1,970 € |
| 100+ | 1,840 € |
| 500+ | 1,600 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteBPW77NB
Código Farnell1469602
Hoja de datos técnicos
Longitud de Onda Típica850nm
Ángulo de Visión10°
Consumo de Energía250mW
Número de pines3Pins
Encapsulado del TransistorTO-18
Gama de Producto-
Estándar de Certificación para Automoción-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Resumen del producto
The BPW77NB is a Silicon NPN Phototransistor with high radiant sensitivity, base terminal and glass lens. It is sensitive to visible and near infrared radiation.
- 4.7mm Dimension
- High photo sensitivity
- High radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response times
- Base terminal connected
Especificaciones técnicas
Longitud de Onda Típica
850nm
Consumo de Energía
250mW
Encapsulado del Transistor
TO-18
Estándar de Certificación para Automoción
-
Ángulo de Visión
10°
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000454
Trazabilidad del producto