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BPW77NA
Fototransistor, 850 nm, 10 °, 250 mW, 3 Pines, TO-18
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 3,400 € |
| 10+ | 2,210 € |
| 25+ | 2,120 € |
| 50+ | 2,020 € |
| 100+ | 1,930 € |
| 500+ | 1,730 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteBPW77NA
Código Farnell1612659
Longitud de Onda Típica850nm
Ángulo de Visión10°
Consumo de Energía250mW
Número de Pines3Pins
Encapsulado del TransistorTO-18
Gama de Producto-
Estándar de Certificación para Automoción-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Resumen del producto
El BPW77NA es un fototransistor NPN de silicio con alta sensibilidad radiante en encapsulado sellado herméticamente. Es sensible a radiación visible y casi infrarroja. Es apto para radiación visible y casi infrarroja.
- Fotosensibilidad elevada
- Alta sensibilidad de radiación
- Tiempos de respuesta rápidos
- Conexión por terminal base
- Ángulo de sensibilidad media de ±10°
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Longitud de Onda Típica
850nm
Consumo de Energía
250mW
Encapsulado del Transistor
TO-18
Estándar de Certificación para Automoción
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Ángulo de Visión
10°
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Productos asociados
Se ha encontrado 1 producto
Legislación y medioambiente
N.º de tarifa85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Pendiente
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto