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BPW17N
Fototransistor, 825 nm, 12 °, 100 mW, 2 Pines, T-3/4 (1.8mm)
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteBPW17N
Código Farnell1045523
Hoja de datos técnicos
Longitud de Onda Típica825nm
Ángulo de Visión12°
Consumo de Energía100mW
Número de pines2Pins
Encapsulado del TransistorT-3/4 (1.8mm)
Gama de Producto-
Estándar de Certificación para Automoción-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Resumen del producto
- Leaded silicon NPN phototransistor in clear, T-3/4 plastic package with lens
- Dimension is Ø 1.8mm
- High photo sensitivity and high radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response times
- Angle of half sensitivity is ϕ ± 12°
- Used as detector in electronic control and drive circuits
- 1.0mA collector light current at Ee = 1mW/cm2, λ = 950nm, VCE = 5V
- Wavelength of peak sensitivity is 825nm
Especificaciones técnicas
Longitud de Onda Típica
825nm
Consumo de Energía
100mW
Encapsulado del Transistor
T-3/4 (1.8mm)
Estándar de Certificación para Automoción
-
Ángulo de Visión
12°
Número de pines
2Pins
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000151
Trazabilidad del producto