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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 18,700 € |
5+ | 15,220 € |
10+ | 11,740 € |
50+ | 11,480 € |
100+ | 11,230 € |
250+ | 10,970 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteUJ3C120080K3S
Código Farnell4014263
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id33A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.08ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de pines3Pins
Tensión de Prueba Rds(on)12V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5V
Disipación de Potencia254.2W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
33A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.08ohm
Número de pines
3Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
12V
Disipación de Potencia
254.2W
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0062
Trazabilidad del producto