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UF4SC120030K4S
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 53 A, 1.2 kV, 30 mohm, TO-247
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 18,480 € |
| 5+ | 17,000 € |
| 10+ | 16,490 € |
| 50+ | 15,030 € |
| 100+ | 13,560 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteUF4SC120030K4S
Código Farnell4221998
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id53A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor30mohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de pines4Pins
Tensión de Prueba Rds(on)12V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente6V
Disipación de Potencia341W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
53A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
30mohm
Número de pines
4Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
6V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
12V
Disipación de Potencia
341W
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.008236