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UF3C065080K4S
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
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| 5+ | 5,360 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteUF3C065080K4S
Código Farnell4014239
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id31A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.08ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de Pines4Pins
Tensión de Prueba Rds(on)12V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5V
Disipación de Potencia190W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
31A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.08ohm
Número de Pines
4Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
12V
Disipación de Potencia
190W
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0063