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OPB706B
Fotointerruptor Reflexivo, Serie OPB706, Fototransistor, Orificio Pasante, 1.27mm, 50 mA, 2 Vr
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FabricanteTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
Referencia del fabricanteOPB706B
Código Farnell4890991
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,280 € |
| 10+ | 2,240 € |
| 25+ | 2,190 € |
| 50+ | 2,150 € |
| 100+ | 2,100 € |
| 500+ | 2,060 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
Referencia del fabricanteOPB706B
Código Farnell4890991
Hoja de datos técnicos
Método de DetecciónReflexivo
Ancho de Ranura / Distancia de Detección1.27mm
Distancia de Detección1.27mm
Tensión de Alimentación Mín.-
Tensión de Alimentación Máx.-
Corriente Directa If50mA
Tensión Inversa Vr2V
Carcasa / Paquete de SensorMódulo
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo24V
Tensión Colector-Emisor Máx30V
Máx. IC Corriente de Colector25mA
Tensión Directa1.7V
Tipo de Salida de SensorFototransistor
Grado IP-
Montaje del SensorAgujero Pasante
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.85°C
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The OPB706B series Reflective Object Sensor that consists of an infrared Light Emitting Diode (LED) and an NPN silicon Phototransistor mounted “side-by-side” on parallel axes in a black plastic housing. On the sensor, the LED and Phototransistor are molded using dark infrared transmissive plastic to reduce ambient light noise. The Phototransistor, responds to light from the emitter when a reflective object passes within its field of view of the device.
- Phototransistor output
- Unfocused for sensing diffuse surface
- Plastic housing
- Designed for use with PCB or connectors
- Strong on dust and dirt
- Stronger noise resistance
- Strong even in cold environments
- Beam axis alignment made easy with a high luminance spot beam
- Reduction of volume adjustment labour
- Can be used for sensing minute differences
- BGS/FGS functions
Especificaciones técnicas
Método de Detección
Reflexivo
Distancia de Detección
1.27mm
Tensión de Alimentación Máx.
-
Tensión Inversa Vr
2V
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
24V
Máx. IC Corriente de Colector
25mA
Tipo de Salida de Sensor
Fototransistor
Montaje del Sensor
Agujero Pasante
Temperatura de Funcionamiento Máx.
85°C
Calificación
-
Ancho de Ranura / Distancia de Detección
1.27mm
Tensión de Alimentación Mín.
-
Corriente Directa If
50mA
Carcasa / Paquete de Sensor
Módulo
Tensión Colector-Emisor Máx
30V
Tensión Directa
1.7V
Grado IP
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Mexico
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Mexico
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000726