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TP65H300G4LSG-TR
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 650 V, 6.5 A, 0.312 ohm, 9.6 nC, PQFN, Montaje Superficial
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FabricanteRENESAS
Referencia del fabricanteTP65H300G4LSG-TR
Código Farnell4371978
Rango de ProductoSuperGaN Series
Hoja de datos técnicos
633 Productos en Stock
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 4,350 € |
| 10+ | 2,940 € |
| 100+ | 2,090 € |
| 500+ | 1,830 € |
| 1000+ | 1,820 € |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteRENESAS
Referencia del fabricanteTP65H300G4LSG-TR
Código Farnell4371978
Rango de ProductoSuperGaN Series
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Corriente de Drenaje Continua Id6.5A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.312ohm
Carga de Puerta Típica9.6nC
Encapsulado del TransistorPQFN
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Número de Pines3Pins
Gama de ProductoSuperGaN Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.312ohm
Encapsulado del Transistor
PQFN
Número de Pines
3Pins
Calificación
-
Corriente de Drenaje Continua Id
6.5A
Carga de Puerta Típica
9.6nC
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
SuperGaN Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):1.42
Trazabilidad del producto