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TP65H035G4QS-TR
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 22 nC, TOLL, Montaje Superficial
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FabricanteRENESAS
Referencia del fabricanteTP65H035G4QS-TR
Código Farnell4371961RL
Rango de ProductoSuperGaN Series
Hoja de datos técnicos
1763 Productos en Stock
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 10+ | 11,910 € |
| 50+ | 10,230 € |
| 100+ | 9,610 € |
| 250+ | 9,420 € |
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Mínimo: 10
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Información del producto
FabricanteRENESAS
Referencia del fabricanteTP65H035G4QS-TR
Código Farnell4371961RL
Rango de ProductoSuperGaN Series
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Corriente de Drenaje Continua Id46.5A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.041ohm
Carga de Puerta Típica22nC
Encapsulado del TransistorTOLL
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Número de Pines8Pins
Gama de ProductoSuperGaN Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.041ohm
Encapsulado del Transistor
TOLL
Número de Pines
8Pins
Calificación
-
Corriente de Drenaje Continua Id
46.5A
Carga de Puerta Típica
22nC
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
SuperGaN Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00002
Trazabilidad del producto