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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 105,290 € |
5+ | 104,440 € |
10+ | 94,220 € |
50+ | 90,980 € |
Información del producto
Resumen del producto
The TS256MSQ64V8U is a 128M x 8 DRAM high-speed low power memory DDR2 Unbuffered DIMM use DDR2 SDRAM and a 2048 bits serial EEPROM on a 240-pin printed circuit board. It is a Dual In-Line Memory Module and is intended for mounting into 240-pin edge connector sockets. The synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock. The data I/O transactions are possible on both edges of DQS, range of operation frequencies, programmable latencies allow the same device to be useful for a variety of high bandwidth, high performance memory system applications.
- Programmable sequential/interleave burst mode
- Bi-directional differential data-strobe
- Off-chip driver (OCD) impedance adjustment
- MRS cycle with address key programs
- On die termination
- Serial presence detect with EEPROM
Especificaciones técnicas
2GB
PC2-6400
Portátil SODIMM
1.9V
-
-
800MHz
DDR2 SO-DIMM de 200 pines
1.7V
1.8V
85°C
No SVHC (14-Jun-2023)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto