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FabricanteTOSHIBA
Referencia del fabricanteTW083Z65C,S1F(S
Código Farnell4247126
También conocido comoTW083Z65C, TW083Z65C,S1F
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 9,010 € |
5+ | 8,280 € |
10+ | 7,540 € |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
Referencia del fabricanteTW083Z65C,S1F(S
Código Farnell4247126
También conocido comoTW083Z65C, TW083Z65C,S1F
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id30A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.083ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de pines4Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5V
Disipación de Potencia111W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
30A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.083ohm
Número de pines
4Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
111W
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00655
Trazabilidad del producto