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TRS6E65H,S1Q(S
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 650 V, 18 A, 17 nC, TO-220
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FabricanteTOSHIBA
Referencia del fabricanteTRS6E65H,S1Q(S
Código Farnell4227511
También conocido comoTRS6E65H, TRS6E65H,S1Q
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
Referencia del fabricanteTRS6E65H,S1Q(S
Código Farnell4227511
También conocido comoTRS6E65H, TRS6E65H,S1Q
Hoja de datos técnicos
Gama de Producto-
Configuración de DiodoÚnico
Tensión inversa repetitiva máx.650V
Corriente Directa Promedio18A
Carga Capacitiva Total17nC
Encapsulado del DiodoTO-220
Número de pines2 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de DiodoAgujero Pasante
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Gama de Producto
-
Tensión inversa repetitiva máx.
650V
Carga Capacitiva Total
17nC
Número de pines
2 Pines
Montaje de Diodo
Agujero Pasante
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Configuración de Diodo
Único
Corriente Directa Promedio
18A
Encapsulado del Diodo
TO-220
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0019
Trazabilidad del producto