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TRS4V65H,LQ(S
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Ánodo simple/doble, 650 V, 13 A, 12 nC, DFN
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FabricanteTOSHIBA
Referencia del fabricanteTRS4V65H,LQ(S
Código Farnell4227510
También conocido comoTRS4V65H, TRS4V65H,LQ
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,260 € |
| 10+ | 1,470 € |
| 100+ | 1,170 € |
| 500+ | 0,884 € |
| 1000+ | 0,866 € |
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Mínimo: 1
Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
Referencia del fabricanteTRS4V65H,LQ(S
Código Farnell4227510
También conocido comoTRS4V65H, TRS4V65H,LQ
Hoja de datos técnicos
Gama de Producto-
Configuración de DiodoÁnodo simple/doble
Tensión inversa repetitiva máx.650V
Corriente Directa Promedio13A
Carga Capacitiva Total12nC
Encapsulado del DiodoDFN
Número de pines5 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de DiodoMontaje en superficie
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Gama de Producto
-
Tensión inversa repetitiva máx.
650V
Carga Capacitiva Total
12nC
Número de pines
5 Pines
Montaje de Diodo
Montaje en superficie
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Configuración de Diodo
Ánodo simple/doble
Corriente Directa Promedio
13A
Encapsulado del Diodo
DFN
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000175