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TRS20H120H,S1Q(S
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 1.2 kV, 61 A, 109 nC, TO-247
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FabricanteTOSHIBA
Referencia del fabricanteTRS20H120H,S1Q(S
Código Farnell4541921
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 12,230 € |
| 5+ | 10,560 € |
| 10+ | 9,020 € |
| 50+ | 7,820 € |
| 100+ | 7,390 € |
| 250+ | 7,120 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
Referencia del fabricanteTRS20H120H,S1Q(S
Código Farnell4541921
Hoja de datos técnicos
Gama de Producto-
Configuración de DiodoÚnico
Tensión inversa repetitiva máx.1.2kV
Corriente Directa Promedio61A
Carga Capacitiva Total109nC
Encapsulado del DiodoTO-247
Número de pines2 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de DiodoAgujero Pasante
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Gama de Producto
-
Tensión inversa repetitiva máx.
1.2kV
Carga Capacitiva Total
109nC
Número de pines
2 Pines
Montaje de Diodo
Agujero Pasante
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Configuración de Diodo
Único
Corriente Directa Promedio
61A
Encapsulado del Diodo
TO-247
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000059
Trazabilidad del producto