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Cantidad | Precio (sin IVA) |
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1+ | 0,593 € |
10+ | 0,455 € |
100+ | 0,411 € |
500+ | 0,371 € |
1000+ | 0,343 € |
2500+ | 0,324 € |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
Referencia del fabricanteTCK421G,L3F(S
Código Farnell4049746
Hoja de datos técnicos
Núm. de canales2Channels
Tipo de Controlador de Puerta-
Configuración del ControladorLado Alto
Tipo de Interruptor de PotenciaMOSFET
Número de pines6Pins
Encapsulado del CIWCSP
Montaje de CirucitoMontaje en superficie
Tipo de EntradaNo Inversión
Corriente de Suministro-
Corriente de Drenaje-
Tensión de Alimentación Mín.2.7V
Tensión de Alimentación Máx.28V
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.85°C
Retardo de Entrada2.9ms
Retardo de Salida36µs
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
TCK421G is an overvoltage protection MOSFET gate driver IC. It has external N-channel MOSFET. Which supports MOSFET operating voltage from 2.7V to 28V with various over voltage lock out line-ups. And this features low standby current, less than 1µA, built in charge pump circuit and MOSFET gate source protection circuit. This gate driver IC is widely used in load switch circuit for mobile, wearable, and IoT equipment etc.
- Gate driver for N-channel common drain MOSFET
- Gate driver for N-channel single high side MOSFET
- High maximum input voltage is VIN max = 40V
- Gate-source protection circuit
- Operating temperature range is -40°C to 85°C
- OVLO threshold, falling is 23.26V
- External MOSFET gate source voltage is 10V (Control ON)
- Packaging style is SOP advance(N)
Especificaciones técnicas
Núm. de canales
2Channels
Configuración del Controlador
Lado Alto
Número de pines
6Pins
Montaje de Cirucito
Montaje en superficie
Corriente de Suministro
-
Tensión de Alimentación Mín.
2.7V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Retardo de Entrada
2.9ms
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Controlador de Puerta
-
Tipo de Interruptor de Potencia
MOSFET
Encapsulado del CI
WCSP
Tipo de Entrada
No Inversión
Corriente de Drenaje
-
Tensión de Alimentación Máx.
28V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
85°C
Retardo de Salida
36µs
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000002
Trazabilidad del producto