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2SK879-GR(TE85L,F)
Transistor JFET, 6.5 mA, 5 V, SOT-323, 3 Pines, 125 °C
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FabricanteTOSHIBA
Referencia del fabricante2SK879-GR(TE85L,F)
Código Farnell4415888
También conocido como2SK879-GR, 2SK879-GR(TE85L
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,507 € |
| 10+ | 0,345 € |
| 100+ | 0,236 € |
| 500+ | 0,192 € |
| 1000+ | 0,169 € |
| 5000+ | 0,127 € |
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Mínimo: 5
Múltiplo: 5
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
Referencia del fabricante2SK879-GR(TE85L,F)
Código Farnell4415888
También conocido como2SK879-GR, 2SK879-GR(TE85L
Hoja de datos técnicos
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx-
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.6.5mA
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente5V
Encapsulado del TransistorSOT-323
Número de pines3 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.125°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx
-
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente
5V
Número de pines
3 Pines
Tipo de Canal
Canal N
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.
6.5mA
Encapsulado del Transistor
SOT-323
Temperatura de Funcionamiento Máx.
125°C
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000006
Trazabilidad del producto