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RS1G
Diodo de Recuperación Estándar, 400 V, 1 A, Único, 1.3 V, 150 ns, 30 A
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FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricanteRS1G
Código Farnell2677342
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,286 € |
| 10+ | 0,181 € |
| 100+ | 0,115 € |
| 500+ | 0,0788 € |
| 1000+ | 0,0639 € |
| 5000+ | 0,0552 € |
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Información del producto
FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricanteRS1G
Código Farnell2677342
Hoja de datos técnicos
Cresta de Tensión Inversa Recurrente400V
Corriente Directa Promedio1A
Configuración de DiodoÚnico
Tensión Directa Máxima1.3V
Tiempo de Recuperación Inversa150ns
Sobrecorriente Directa30A
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Encapsulado del DiodoDO-214AC (SMA)
Número de Pines2Pins
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Cresta de Tensión Inversa Recurrente
400V
Configuración de Diodo
Único
Tiempo de Recuperación Inversa
150ns
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Número de Pines
2Pins
Calificación
-
Corriente Directa Promedio
1A
Tensión Directa Máxima
1.3V
Sobrecorriente Directa
30A
Encapsulado del Diodo
DO-214AC (SMA)
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para RS1G
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000068
Trazabilidad del producto