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ES3F
Diodo Rápido / Ultrarápido, 300 V, 3 A, Único, 1.3 V, 35 ns, 100 A
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FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricanteES3F
Código Farnell2677288
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,685 € |
| 10+ | 0,440 € |
| 100+ | 0,288 € |
| 500+ | 0,204 € |
| 1000+ | 0,184 € |
| 5000+ | 0,149 € |
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Mínimo: 5
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Información del producto
FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricanteES3F
Código Farnell2677288
Hoja de datos técnicos
Cresta de Tensión Inversa Recurrente300V
Corriente Directa Promedio3A
Configuración de DiodoÚnico
Tensión Directa Máxima1.3V
Tiempo de Recuperación Inversa35ns
Sobrecorriente Directa100A
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Encapsulado del DiodoDO-214AB (SMC)
Núm. de Pines2 Pines
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Cresta de Tensión Inversa Recurrente
300V
Configuración de Diodo
Único
Tiempo de Recuperación Inversa
35ns
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Núm. de Pines
2 Pines
Calificación
-
Corriente Directa Promedio
3A
Tensión Directa Máxima
1.3V
Sobrecorriente Directa
100A
Encapsulado del Diodo
DO-214AB (SMC)
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para ES3F
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000484