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FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricanteBZT55C39 L1G
Código Farnell2677511RL
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
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Información del producto
FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricanteBZT55C39 L1G
Código Farnell2677511RL
Hoja de datos técnicos
Tensión Zener Nominal39V
Disipación de Potencia500mW
Encapsulado del DiodoSOD-80 (MiniMELF)
Número de Pines2Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de DiodoMontaje en superficie
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Alternativas para BZT55C39 L1G
Se ha encontrado 1 producto
Especificaciones técnicas
Tensión Zener Nominal
39V
Encapsulado del Diodo
SOD-80 (MiniMELF)
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Disipación de Potencia
500mW
Número de Pines
2Pins
Montaje de Diodo
Montaje en superficie
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000034