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STWA75N65DM6
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 75 A, 0.036 ohm, TO-247LL, Orificio Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTWA75N65DM6
Código Farnell3929071
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| 5+ | 9,110 € |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTWA75N65DM6
Código Farnell3929071
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Corriente de Drenaje Continua Id75A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.036ohm
Encapsulado del TransistorTO-247LL
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4.75V
Disipación de Potencia480W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
75A
Encapsulado del Transistor
TO-247LL
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
480W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.036ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4.75V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0061