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STPSC8H065DLF
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTPSC8H065DLF
Código Farnell3018772RL
Hoja de datos técnicos
2017 Productos en Stock
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 1,800 € |
| 500+ | 1,680 € |
| 1000+ | 1,570 € |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTPSC8H065DLF
Código Farnell3018772RL
Hoja de datos técnicos
Gama de Producto-
Configuración de DiodoÚnico
Cresta de Tensión Inversa Recurrente650V
Corriente Directa Promedio8A
Carga Capacitiva Total26nC
Encapsulado del DiodoPowerFLAT
Núm. de Pines5 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de DiodoMontaje en superficie
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Gama de Producto
-
Cresta de Tensión Inversa Recurrente
650V
Carga Capacitiva Total
26nC
Núm. de Pines
5 Pines
Montaje de Diodo
Montaje en superficie
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuración de Diodo
Único
Corriente Directa Promedio
8A
Encapsulado del Diodo
PowerFLAT
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0017
Trazabilidad del producto