STPSC4H065B-TR

Los diodos de carburo de silicio Schottky de STMicroelectronics aprovechan el excepcional rendimiento de los dispositivos SiC por encima de los dispositivos de silicio estándar. Ofrecen dos o tres veces más banda prohibida que el silicio, lo que implica que los dispositivos SiC pueden tolerar tensiones y campos eléctricos muy superiores. La baja recuperación inversa aumenta la eficiencia en todos los sistemas gracias as su baja tensión directa y hace que los diodos de carburo de silicio de ST resulten ideales para ahorrar energía. Estos ahorros son posibles en aplicaciones SMPS así como en conversión de energía solar, estaciones de carga EV o HEVy muchas otras. El producto va de 600V a 1200V en encapsulados de montaje pasante y SMD.