STPSC10TH13TI
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie 650V, Doble, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-220AB
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 6,270 € |
| 5+ | 5,810 € |
| 10+ | 5,350 € |
| 50+ | 4,880 € |
| 100+ | 4,420 € |
| 250+ | 3,960 € |
Información del producto
Resumen del producto
Los diodos de carburo de silicio Schottky de STMicroelectronics aprovechan el excepcional rendimiento de los dispositivos SiC por encima de los dispositivos de silicio estándar. Ofrecen dos o tres veces más banda prohibida que el silicio, lo que implica que los dispositivos SiC pueden tolerar tensiones y campos eléctricos muy superiores. La baja recuperación inversa aumenta la eficiencia en todos los sistemas gracias as su baja tensión directa y hace que los diodos de carburo de silicio de ST resulten ideales para ahorrar energía. Estos ahorros son posibles en aplicaciones SMPS así como en conversión de energía solar, estaciones de carga EV o HEVy muchas otras. El producto va de 600V a 1200V en encapsulados de montaje pasante y SMD.
Notas
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
650V
650V
28.5nC
3 Pines
Agujero Pasante
No SVHC (21-Jan-2025)
Serie doble
10A
TO-220AB
175°C
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto