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STGYA50H120DF2
IGBT, 100 A, 2.1 V, 535 W, 1.2 kV, MAX-247, 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTGYA50H120DF2
Código Farnell3972507
Rango de ProductoTrench H Series
Hoja de datos técnicos
486 Productos en Stock
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 7,420 € |
| 5+ | 6,330 € |
| 10+ | 5,240 € |
| 50+ | 4,820 € |
| 100+ | 4,420 € |
| 250+ | 4,010 € |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTGYA50H120DF2
Código Farnell3972507
Rango de ProductoTrench H Series
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector Continua100A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor2.1V
Disipación de Potencia535W
Tensión Colector-Emisor Máx1.2kV
Encapsulado del TransistorMAX-247
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Gama de ProductoTrench H Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector Continua
100A
Disipación de Potencia
535W
Encapsulado del Transistor
MAX-247
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Gama de Producto
Trench H Series
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
2.1V
Tensión Colector-Emisor Máx
1.2kV
Número de pines
3Pins
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00443
Trazabilidad del producto