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STGWA40H65DFB2
IGBT, 72 A, 1.55 V, 230 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTGWA40H65DFB2
Código Farnell3387279
Rango de ProductoHB2
Hoja de datos técnicos
Fuera de inventario
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTGWA40H65DFB2
Código Farnell3387279
Rango de ProductoHB2
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector Continua72A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.55V
Disipación de Potencia230W
Tensión Colector-Emisor Máx650V
Encapsulado del TransistorTO-247LL
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Gama de ProductoHB2
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector Continua
72A
Disipación de Potencia
230W
Encapsulado del Transistor
TO-247LL
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Gama de Producto
HB2
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.55V
Tensión Colector-Emisor Máx
650V
Número de pines
3Pins
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0061
Trazabilidad del producto