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STGWA30H65DFB2
IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTGWA30H65DFB2
Código Farnell3528428
Rango de ProductoHB2
Hoja de datos técnicos
20 Productos en Stock
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,220 € |
| 10+ | 1,940 € |
| 100+ | 1,610 € |
| 500+ | 1,440 € |
| 1000+ | 1,340 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTGWA30H65DFB2
Código Farnell3528428
Rango de ProductoHB2
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector Continua50A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.65V
Disipación de Potencia167W
Tensión Colector-Emisor Máx650V
Encapsulado del TransistorTO-247LL
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Gama de ProductoHB2
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Corriente de Colector Continua
50A
Disipación de Potencia
167W
Encapsulado del Transistor
TO-247LL
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Gama de Producto
HB2
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.65V
Tensión Colector-Emisor Máx
650V
Número de pines
3Pins
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00001