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STGWA20IH65DF
IGBT, 40 A, 1.55 V, 159 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTGWA20IH65DF
Código Farnell3581060
Rango de ProductoIH
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTGWA20IH65DF
Código Farnell3581060
Rango de ProductoIH
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector Continua40A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.55V
Disipación de Potencia159W
Tensión Colector-Emisor Máx650V
Encapsulado del TransistorTO-247LL
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Gama de ProductoIH
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector Continua
40A
Disipación de Potencia
159W
Encapsulado del Transistor
TO-247LL
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Gama de Producto
IH
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.55V
Tensión Colector-Emisor Máx
650V
Número de pines
3Pins
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0061