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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTGW60H65DFB-4
Código Farnell2778105
Rango de ProductoHB
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 6,800 € |
| 5+ | 4,530 € |
| 10+ | 4,050 € |
| 50+ | 3,850 € |
| 100+ | 3,660 € |
| 250+ | 3,590 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTGW60H65DFB-4
Código Farnell2778105
Rango de ProductoHB
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector Continua80A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.6V
Disipación de Potencia375W
Tensión Colector-Emisor Máx650V
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de pines4Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Gama de ProductoHB
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector Continua
80A
Disipación de Potencia
375W
Encapsulado del Transistor
TO-247
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Gama de Producto
HB
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.6V
Tensión Colector-Emisor Máx
650V
Número de pines
4Pins
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00443
Trazabilidad del producto