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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTGSH50M120D
Código Farnell4632559
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 19,110 € |
5+ | 17,420 € |
10+ | 15,720 € |
50+ | 15,410 € |
100+ | 15,090 € |
250+ | 14,780 € |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTGSH50M120D
Código Farnell4632559
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTDoble [Medio Puente]
Corriente de Colector Continua69A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.8V
Disipación de Potencia536W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Encapsulado del TransistorACEPACK SMIT
Terminación IGBTSoldadura
Tensión Colector-Emisor Máx1.2kV
Tecnología IGBTZanja/Limitador de Campo
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Doble [Medio Puente]
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.8V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Terminación IGBT
Soldadura
Tecnología IGBT
Zanja/Limitador de Campo
Gama de Producto
-
Corriente de Colector Continua
69A
Disipación de Potencia
536W
Encapsulado del Transistor
ACEPACK SMIT
Tensión Colector-Emisor Máx
1.2kV
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001