Imprimir página
STGP10NC60KD
IGBT, 20 A, 2.5 V, 60 W, 600 V, TO-220, 3 Pines
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTGP10NC60KD
Código Farnell1293647
Hoja de datos técnicos
867 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,900 € |
| 10+ | 1,480 € |
| 100+ | 0,940 € |
| 500+ | 0,750 € |
| 1000+ | 0,668 € |
| 5000+ | 0,630 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
1,90 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTGP10NC60KD
Código Farnell1293647
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector Continua20A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor2.5V
Disipación de Potencia60W
Tensión Colector-Emisor Máx600V
Encapsulado del TransistorTO-220
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Gama de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The STGP10NC60KD is a 600V short-circuit rugged IGBT that utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behaviour. The IGBT is ideal for use in SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies. Improved switch-off energy spread versus increasing temperature result in reduced switching losses.
- Lower on-voltage drop
- Lower CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
- Very soft ultra fast recovery anti-parallel diode
- 10µs Short-circuit withstand time
- Low VCE (sat) for reduced conduction losses
- Tight parameter distribution for design simplification and easy paralleling
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector Continua
20A
Disipación de Potencia
60W
Encapsulado del Transistor
TO-220
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
2.5V
Tensión Colector-Emisor Máx
600V
Número de pines
3Pins
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Productos asociados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.006955