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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTGB30H65DFB2
Código Farnell3528422
Rango de ProductoHB2
Hoja de datos técnicos
968 Productos en Stock
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 2,560 € |
10+ | 2,000 € |
100+ | 1,490 € |
500+ | 1,110 € |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTGB30H65DFB2
Código Farnell3528422
Rango de ProductoHB2
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector Continua50A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.65V
Disipación de Potencia167W
Tensión Colector-Emisor Máx650V
Encapsulado del TransistorTO-263 (D2PAK)
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Gama de ProductoHB2
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Notas
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Especificaciones técnicas
Corriente de Colector Continua
50A
Disipación de Potencia
167W
Encapsulado del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Gama de Producto
HB2
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.65V
Tensión Colector-Emisor Máx
650V
Número de Pines
3Pins
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00169
Trazabilidad del producto