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STGB20NC60V
IGBT, 60 A, 1.8 V, 200 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTGB20NC60V
Código Farnell3129898
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
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| 10+ | 1,220 € |
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| 500+ | 0,925 € |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTGB20NC60V
Código Farnell3129898
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector Continua60A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.8V
Disipación de Potencia200W
Tensión Colector-Emisor Máx600V
Encapsulado del TransistorTO-263 (D2PAK)
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Gama de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Corriente de Colector Continua
60A
Disipación de Potencia
200W
Encapsulado del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.8V
Tensión Colector-Emisor Máx
600V
Número de pines
3Pins
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.005443