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STGB20NB41LZT4
IGBT, 40 A, 1.3 V, 200 W, 412 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTGB20NB41LZT4
Código Farnell2353662
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 3,710 € |
| 10+ | 2,430 € |
| 100+ | 1,710 € |
| 500+ | 1,520 € |
| 1000+ | 1,280 € |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTGB20NB41LZT4
Código Farnell2353662
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector Continua40A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.3V
Disipación de Potencia200W
Tensión Colector-Emisor Máx412V
Encapsulado del TransistorTO-263 (D2PAK)
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Gama de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The STGB20NB41LZT4 is an internally clamped PowerMESH™ IGBT using the latest high voltage technology based on a patented strip layout. STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBT with outstanding performances. The built-in collector-gate Zener exhibits a very precise active clamping while the gate-emitter Zener supplies an ESD protection.
- Polysilicon gate voltage driven
- Low threshold voltage
- Low on-voltage drop
- Low gate charge
- High current capability
- High voltage clamping
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector Continua
40A
Disipación de Potencia
200W
Encapsulado del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.3V
Tensión Colector-Emisor Máx
412V
Número de pines
3Pins
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0001