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STGB18N40LZT4
IGBT, 30 A, 1.35 V, 150 W, 390 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTGB18N40LZT4
Código Farnell2344079
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,190 € |
| 10+ | 1,610 € |
| 100+ | 1,140 € |
| 500+ | 1,060 € |
| 1000+ | 0,978 € |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTGB18N40LZT4
Código Farnell2344079
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector Continua30A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.35V
Disipación de Potencia150W
Tensión Colector-Emisor Máx390V
Encapsulado del TransistorTO-263 (D2PAK)
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The STGB18N40LZT4 is an internally clamped IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diode between gate-collector and gate-emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low ON-state voltage drop and low threshold drive for use in automotive ignition system. It is suitable for pencil coil electronic ignition drive.
- ESD gate-emitter protection
- Gate-collector high voltage clamping
- Logic level gate drive
- Low saturation voltage
- High pulsed current capability
- Gate and gate-emitter resistor
- 180mJ Avalanche energy @ TC = 150°C, L = 3mH
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector Continua
30A
Disipación de Potencia
150W
Encapsulado del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Gama de Producto
-
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.35V
Tensión Colector-Emisor Máx
390V
Número de pines
3Pins
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001913
Trazabilidad del producto